Патент Российской Федерации №2262556 на изобретение "Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития" выдан по заявке № 2004107419/15(008019) с приоритетом от 15.03.2004 на имя, Л.Л.Пыльневой, Н.А.Пыльневой, Н.Л.Циркиной, г.Новосибирск со следующей формулой изобретения:

"Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития, включающий получение кристалла трибората лития из раствора-расплава в системе Li2O-В2О3-МоО3 на затравке путем снижения температуры расплава, отличающийся тем, что выращивание ведут из состава, который определен областью АВС диаграммы трехкомпонентной системы Li2O-В2О3-МоО3 в печи с двумя и более зонами нагрева и управлением скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста в течение процесса, при этом координаты составов определены следующими точками, мол.доли: A:Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16; B:Li2O - 0,20; В2О3 - 0,20; МоО3 - 0,60; C:Li2O - 0,30; В 2О3 - 0,13; МоО3 - 0,57".

Против выдачи данного патента в соответствии с подпунктом 1 пункта 1 статьи 29 Патентного закона Российской Федерации от 23.09.1992 № 3517-1 с учетом изменений и дополнений, внесенных Федеральным законом № 22 – ФЗ от 07.02.2003 "О внесении изменений и дополнений в Патентный закон Российской Федерации" (далее – Закон), в Палату по патентным спорам поступило возражение от 20.12.2005, мотивированное несоответствием запатентованного изобретения условию патентоспособности "изобретательский уровень".

Данное мнение подтверждено следующими материалами:

-V.I.Kosyakov, N.A.Pylneva, Z.G.Bazarova, A.M.Yurkin, Topology of liguidus surface in B2O3-Li2O-В2О3-Li2O · МоО3 – МоО3 system: implications to the growth of lithium triborate single crystals – Mat. Res.Bul., Vol. 36, No. 3-4, 2001, pp 573-584 и перевод на 4л. (далее [1]);

- R.S. Feigelson, R.j.Raymakers, R.K.Route. Solution growth of barium metaborate crystals by top seeding.- J.Crystal Growth, Vol. 97, 1989, pp 353-

366 и перевод на 4л (далее – [2]);

- J. Nordborg, G. Svensson, R.J. Bolt, J.Albertsson. Top seeded solution growth of [Rb.Cs] TiOAsO4. – J.Crystal Growth, Vol. 224,2001, pp256-268 и перевод на (далее – [3]);

- C.V.Kannan, S.Ganesamoorthy, S.Kumaragurubaran, C.Subramanian, R.Sundar, P.Ramasamy. Growth of inclusion free KTR crystals by top seeded solution growth and their characterization. – Cryst. Res. and Tech. Vol. 37, No.10, 2002, pp. 1049-1057 и перевод на 2л. (далее [4]);

- N. Pylneva, N.Kononova, A. Yurkin, G.Bazarova. Growth and nonlinear-optical properties of lithium triborate crystals.- J.Crystal Growth, V.198-199 (1999) pp 546-550 и перевод на 1л. (далее – [5]);

- N.Pylneva, V.Kosyakov, A.Yurkin, Z.G.Bazarova, V.Atuchin, A.Kolesnikov, E. Trukhanov, C.Zilling. Real structure of LiB3O (LBO), crystals grown in Li2O-B2O3-MoO3 system.- Cryst. Res. and Tech., Vol. 36, No. 12, 2001, pp. 1377-1284 и перевод на 4л. (далее – [6]).

Лицо, подавшее возражение, считает, что отличительный признак "выращивание ведут из состава, который определен областью АВС диаграммы трехкомпонентной системы Li2O-В2О3-МоО3, при этом координаты составов определены следующими точками, мол.доли: A:Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16; B:Li2O - 0,20; В2О3 - 0,20; МоО3 - 0,60;C:Li2O - 0,30; В 2О3 - 0,13; МоО3 - 0,57" известен из источника [1]. В отношении признака " выращивание ведут в печи с двумя и более зонами нагрева и управлением скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста в течение процесса" лицо, подавшее возражение отмечает, что "использование для выращивания кристаллов двух- и более зонных печей с разнообразными режимами управления (в том числе, индивидуально для каждой из зон по нелинейному графику) является широко распространенной практикой", известной, по его мнению из источников [2]- [4]. Признак, касающийся снижения температуры с переменной скоростью в течение процесса выращивания, по мнению лица, подавшего возражение, известен из источников [1] и [5]. Кроме того, по его, в источнике [6] приведены данные о получении снижением температуры кристаллов LBO оптического качества размером до 100х90х50 мм из расплава, содержащего МоО3.

На основании этих доводов, лицо, подавшее возражение, просит признать патент Российской Федерации № 2262556 недействительным полностью, как не соответствующий условию охраноспособности "изобретательский уровень".

Патентообладатель, в установленном порядке ознакомленный с материалами возражения, в своем отзыве, представленном в корреспонденции, поступившей 07.11.2006 отметил, что, в источнике [1] речь идет о точках, в которых происходит первичная кристаллизация фазы трибората лития Li2O-3В2О3 (LBO) и других фаз (Li2O-В2О3 ; Li2O-2В2О3 ; 2Li2O-5В2О3; МоО3 ), а не о составах расплава, используемых для выращивания монокристаллов. По мнению патентообладателя в источнике [1] и в оспариваемом патенте решались разные задачи, в статье [1] разрабатывалась методика исследования топологии поверхности ликвидуса на примере системы (В2О3 - Li2O · В2О3 - Li2O · МоО3 - МоО3) и определение полей первичной кристаллизации, найденных в данной системе фаз, а в оспариваемом патенте – нахождение области оптимальных составов расплава, пригодных для получения крупных кристаллов LBO и определение точных координат данной области в системе Li2O - В2О3 - МоО3. Патентообладатель считает, что в оспариваемом патенте для решения поставленной задачи экспериментально определен состав расплава, в котором возможен рост монокристаллов LBO с высоким выходом материала, годного для нелинейной оптики, сведения о котором отсутствуют в источнике [1].

Кроме того, патентообладатель отмечает, что приведенные в возражении источники [2-4] в качестве доказательства известности из уровня техники признака "выращивание ведут в печи с двумя и более зонами нагрева и управлением скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста в течение процесса", относятся к выращиванию не LBO, а других кристаллов, а совокупность признаков формулы изобретения обеспечивает выращивание именно монокристаллов LBO в заявленной области кристаллизации системы Li2O

- В2О3 - МоО3, причем специалистам по росту кристаллов известно, что выбор аппаратуры и условий роста обусловлен свойствами системы кристалл-растворитель, и механический перенос этих факторов, необходимых для выращивания качественных кристаллов одного вещества, неприменим к другому веществу, при этом патентообладатель отмечает, что в источниках [2-4] отсутствуют данные о выращивании крупных кристаллов.

В отзыве патентообладателя также указано, что во всех приведенных в возражении источниках использован метод TSSG с вращением [4] или вращением и вытягиванием одновременно [2-3], а в оспариваемом патенте использована принципиально иная модификация метода TSSG – без вращения и вытягивания, с управлением скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста в течение процесса, что позволяет с большей точностью поддерживать стабильные условия на фронте кристаллизации, необходимые для формирования бездефектного кристалла. Кроме того, патентообладатель утверждает, что в оспариваемом патенте использованы другие конструкции многозонных печей, выбранные с противоположной, нежели в источниках [2-4] целью, а именно для получения низких градиентов температур в расплаве.

Правообладатель также отмечает, что в источниках [2-3 ] нет данных об изменении скорости снижения температуры во время процесса выращивания кристаллов, а в источнике [4] рост кристалла осуществлялся с периодическими остановками на графике снижения температуры.

На этом основании правообладатель делает вывод о соответствии оспариваемого патента условию охраноспособности "изобретательский уровень".

Изучив материалы дела и заслушав участников рассмотрения возражения, Палата по патентным спорам находит доводы, изложенные в возражении, не убедительными.

С учетом даты подачи заявки, по которой был выдан оспариваемый патент, правовая база для проверки охраноспособности запатентованного изобретения включает упомянутый выше Закон, Правила составления, подачи и рассмотрения заявки на выдачу патента на изобретение, утвержденные Роспатентом 06.06.2003 №82 и зарегистрированные в Министерстве юстиции Российской Федерации 30.06.2003 № 4852 (далее – Правила ИЗ) и Правила ППС.

В соответствии с пунктом 1 статьи 4 Закона изобретению предоставляется правовая охрана, если оно является новым, имеет изобретательский уровень и промышленно применимо.

Согласно подпункту (1) пункта 19.5.3 Правил ИЗ изобретение имеет изобретательский уровень, если оно для специалиста явным образом не следует из уровня техники.

В соответствии с подпунктом (2) пункта 19.5.3 Правил ИЗ изобретение признается не следующим для специалиста явным образом из уровня техники, в том случае, когда не выявлены решения, имеющие признаки, совпадающие с его отличительными признаками, или такие решения выявлены, но не подтверждена известность влияния отличительных признаков на указанный заявителем технический результат.

Проверка соблюдения указанных условий включает:

- определение наиболее близкого аналога;

- выявление признаков, которыми заявленное изобретение, охарактеризованное в независимом пункте формулы, отличается от наиболее близкого аналога (отличительных признаков);

- выявление из уровня техники решений, имеющих признаки, совпадающие с отличительными признаками рассматриваемого изобретения;

- анализ уровня техники с целью установления известности влияния признаков, совпадающих с отличительными признаками заявленного изобретения, на указанный заявителем технический результат.

В соответствии с подпунктом (5) пункта 3.3.1. Правил ИЗ характеристика признака в формуле изобретения не может быть заменена отсылкой к источнику информации, в котором этот признак раскрыт.

Замена характеристики признака в формуле изобретения отсылкой к описанию или чертежам, содержащимся в заявке, допускается лишь в том случае, когда без такой отсылки признак невозможно охарактеризовать.

В соответствии с пунктом 22.3 Правил ИЗ при определении уровня техники общедоступными считаются сведения, содержащиеся в источнике информации, с которым любое лицо может ознакомиться само, либо о содержании которого ему может быть законным путем сообщено.

Существо изобретения выражено в представленной выше формуле изобретения.

Наиболее близким аналогом оспариваемого патента является указанный в описании патент RU № 2112820, опубл. 10.06.1998 [7], из которого известен способ выращивания монокристалла трибората лития из раствора-расплава Li2O-В2О3-МоО3 на затравке путем снижения температуры расплава.

Отличие способа выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития оспариваемого патента от известного заключается в том, что выращивание ведут из состава, который определен областью АВС диаграммы трехкомпонентной системы Li2O-В2О3-МоО3 при этом координаты составов определены точками, мол.доли: A:Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16; B:Li2O - 0,20; В2О3 - 0,20; МоО3 - 0,60; C:Li2O - 0,30; В2О3 - 0,13; МоО3 - 0,57; выращивание ведут в печи с двумя и более зонами нагрева и управлением скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста в течение процесса.

Указанные отличия позволяют получить технический результат, заключающийся в обеспечении возможности выращивания крупных кристаллов LBO высокого оптического качества.

В источнике [1] приведены топологический анализ поверхности ликвидуса в подсистеме B2O3-Li2O · В2О3-Li2O · МоО3 и определение полей первичной кристаллизации, найденных в данной системе фаз. Однако, в данном источнике отсутствуют сведения о выращивании крупных кристаллов LBO высокого оптического качества из состава, который определен областью АВС диаграммы трехкомпонентной системы Li2O-В2О3-МоО3 с координатами составов мол.доли: A:Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16; B:Li2O - 0,20; В2О3 - 0,20; МоО3 - 0,60; C:Li2O - 0,30; В 2О3 - 0,13; МоО3 - 0,57. Следует отметить, что часть аргументов возражения приведена со ссылкой на графическое изображение, при этом в тексте источника [1] отсутствуют координаты, соответствующие графическому изображению, что не позволяет рассматривать указанные координаты как четко определенные. Это же подтверждают доводы сторон, приведенные на заседании коллегии, которые не могли прийти к соглашению по поводу расположения той или иной точки на приведенном в возражении графическом изображении [1]. Кроме того, согласно Правил ИЗ ссылка на чертеж возможна только в том случае, если без нее нельзя описать признак. Этот случай не подходит при рассмотрении оспариваемого патента, поскольку в формуле изобретения четко определены координаты составов.

Из источников [2] - [4] известно использование при выращивании кристаллов многозонных печей, однако, в вышеуказанных источниках отсутствует признак "выращивание кристаллов трибората лития в печи с двумя и более зонами нагрева и управления скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста в течение процесса" . Кроме того, в этих источниках отсутствуют данные о влиянии данного признака на технический результат - выращивания крупных кристаллов LBO высокого оптического качества.

В отношении представленного источника [6] следует отметить, что в данном источнике отсутствуют признаки оспариваемого патента.

Кроме того, следует отметить, что в возражении отсутствует анализ известности влияния признаков, совпадающих с отличительными признаками заявленного изобретения, на указанный в оспариваемом патенте технический результат.

Таким образом, приведенный в возражении вывод о несоответствии оспариваемого изобретения условию охраноспособности "изобретательский уровень" нельзя признать обоснованным.

Учитывая изложенное, Палата по патентным спорам решила:

отказать в удовлетворении возражения, поступившего 10.01.2006, и оставить в силе патент Российской Федерации на изобретение №2262556.